行健讲坛学术讲座
时间: 2018年11月29日（周四）下午13：30
地点: 校本部东区翔英楼T516室
讲座: 太赫兹电路及元器件的研究进展
演讲者: 郝张成博士 东南大学教授
演讲者简介：郝张成，男，东南大学教授，博士生导师，IEEE Senior Member。2006年毕业于东南大学无线电工程系（现信息科学与工程学院）电磁场与微波技术专业获博士学位，获"2008年全国优秀博士论文提名奖"。2006年至2011年8月期间，分别在法国国立高等电信工程布列塔尼学院（ENST, Bretagne, France）和英国Heriot-Watt University, Edinburgh从事博士后研究工作。2012年入选江苏省"双创计划"，2018年入选江苏省"333高层次人才培养工程"（第二层次）。主要研究领域为微波毫米波器件与电路，亚毫米波太赫兹器件与系统。近来，在国内外核心学术期刊和重要国际会议上发表学术论文170余篇，包括SCI检索论文80余篇，在国内外专业会议上做特邀报告十余次；曾担任十多个国际专业会议的技术委员会主席/共主席；曾担任科技部、教育部和国家自然基金委的多个重大项目和人才项目的会评委员和函评专家；担任IEEE T-MTT Special Issue on IWS2018主编；担任IEEE T-AP、IEEE T-MTT等十多个国际权威期刊的审稿人；曾获2016年国家自然科学奖二等奖（2/5）。
讲座摘要：THz技术在电子信息、射电天文、通讯、雷达、成像和国家安全与反恐等多个重要领域巨大的应用前景逐渐显露。本课题组近年来从电磁学角度出发，重点对0.1-1.0 THz频段太赫兹电路和元器件的开展了研究。太赫兹电路的性能、拓扑结构和所采用制备工艺相互制约。相比于微波和低频毫米波电路，太赫兹电路性能对制备工艺十分敏感。针对不同的制备工艺，需要采用合适的设计理念和电路拓扑。另一方面，具体的太赫兹应用需求也决定了需要采用特定的制备工艺以获得所需性能指标。近年来，课题组基于PCB工艺、LTCC工艺、金属削切工艺、表面离子刻蚀工艺、深硅刻蚀工艺、GaAs工艺、CMOS工艺和GeSi工艺等，对太赫兹电路和元器件进行了深入研究，本报告将分别具体汇报这方面的研究进展。
邀请人：通信与信息工程学院 周永金副教授
欢迎广大教师和学生参加！